安徽广电新中心公共频道260㎡演播厅视频系统简析

在介绍黑龙江广播电视网络股份有限整合发展历程的基础上,指出广电网络长期以来所依赖的有线、无线、直播卫星服务垄断地位正受到来自电信IPTV尤其是互联网OTT的严峻挑战.为了应对新的竞争环境,龙江网络提出了四大网发展战略——广播电视基本业务融合网战略、超宽带的互联网战略、高安全度的数据专网战略及O2O电视购物服务网战略.     

面向云物联网的车辆远程智能监控系统的研究

物联网和云计算使我们进入了网络时代的新阶段。将物联网“物物相连,全面感知”的特征与云平台的“云计算,云存储”能力全面整合,为相关行业形成完整统一的网络服务平台,是互联网 的有效实践方式。针对目前车载监控系统功能相对简单,难以满足将来智能交通对其的系统化、智能化的要求的问题。研究采用物联网技术和云计算理念,实现了面向云物联网的车辆监控信息平台,为车辆的远程智能监控提出了新的发展思路。     

基于Java的学生选课系统的设计与实现

教务管理系统已经完全替代了之前全手工和文件记载的方式进行教务的管理,学生选课系统作为其一个不可或缺的子系统,受到各大高校的青睐,已经成为各高校的主流选课方式,淘汰了以往比较落后的全人工的方式。在此设计了一种基于Java的学生选课系统,该系统采用Java的SSH三大框架、B/S架构开发而成,通过学生在线的浏览器操作,使得选课管理工作变得规范化、系统化,提高了信息处理的有效性和准确性,同时大大提高了在学校日常工作中学生的参与性。     

基于Nyquist脉冲副载波调制的短距离光纤传输技术研究

提出了一种适用于强度调制直接检测(IM/DD) 光系统的信号调制格式。这种基于Nyquist脉冲half cycle副载波调制(SCM)信号能有效提高频谱效率,为了减少传递函数引起的系统的性能 恶化,采 用了数字预均衡和后均衡实现对光纤损伤的补偿;建立了偏振复用(PDM)IM/DD系统 平台, 分析了Nyquist脉冲SCM信号在系统中的PAPR性能,实现了72Gbit/s 64-QAM N yquist脉冲SCM信号经过20km标准单模光纤(SMF)传输后其误码性能 小于前向纠错(FEC)阀值3．8×10－3。     

日盲雪崩探测器滤波膜系的优化设计及器件性能的影响

利用传输矩阵法设计了空气与基本膜系之间具 有3个周期减反膜结构的日盲紫外探测器滤波膜系,并利用半导体 器件仿真软件Atlas分析集成了滤波膜系的GaN/AlGaN异质结雪崩光电探测器(APDs)的光 电性能。研究结果表明,相对 无减反射膜的滤波膜系,本文设计的膜系明显提高了光在日盲区的透过率及截止区的反射率 ,使GaN/AlGaN APDs有更 加平滑的光谱响应曲线、更大的响应度、更陡峭的响应截止边频及更好的滤波性能;同时, GaN/AlGaN APDs比传统AlGaN APDs 更有利于光生空穴的注入,使GaN/AlGaN APDs的最大光谱响应度及紫外/可见抑制比较传统的 APDs提高超过300%。     

一种面向新一代可伸缩视频编码的上采样设计

可伸缩视频编码属于新一代H.265/HEVC视频编码标准中的关键技术。本文分析了其相关技术,针对传统空间可伸缩视频编码中的上采样过程运算复杂、时间延迟等缺点,借鉴双边滤波器,将内容自适应嵌入到上采样过程中,提出了一种新的非线性和内容自适应设计方法。通过理论推导得出了改进后滤波器的表示公式,并设计出了新的上采样实现流程。通过仿真实验验证了理论推导的正确性,并与传统方法进行了比较,结果表明该方法可有效地提高编码效率、降低系统复杂性。     

一种DVB-T/H信号强度检测系统的设计与实现

检测无线视频传输的信号强度,既可以检测信号质量,还能为信号传输选择最佳可用频率段。文章提出了一种基于DSP和MAX2165的DVB-T/H信号强度检测方法,并给出了系统设计方案。该方案先扫描频段内的信号,将其下变频到基带,然后对基带信号进行功率测量,最后获得信号强度。测试结果的分析,验证了该方案的可行性和有效性。     

基于FPGA的5/3提升小波优化算法

为了实现线阵CCD空间相机图像的实时压缩处理,在提升算法的基础上,提出了一种适用于FPGA的二维提升小波变换结构与实现方案.该系统利用FPGA片内的存储资源,采用乒乓操作实现了行列变换之间的数据缓存传输,降低了功耗,提高了硬件利用率和运算速度.并且为了适应硬件实现速度,在进行小波边界处理时不需要额外的边界延拓过程,很大程度上降低了算法的复杂度;整个模块采用verilog HDL语言进行设计,并在QuestaSim下进行了仿真试验.实验结果表明,该系统工作稳定可靠,完全满足实时处理的要求,并适用于JPEG2000的多级二维5/3小波变换.     

p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性

随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型InGaN/GaN超晶格来提高有源层中的载流子注入效率.为了对比N面GaN基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED.通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面GaN基LED具有潜在的应用前景.     

Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层

基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角.